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| 材料: | タングステンの銅 | 密度: | タングステンの内容と変えられる |
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| CTE: | 9.0 | 技術委員会: | 220 |
| アプリケーション: | 半導体レーザーサブマウントs | グレード: | 50WCu、75WCu、80WCu、85WCu、90WCu |
| ハイライト: | モリブデン銅熱拡散機,タングステン銅熱拡散機 |
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光学テレコミュニケーション伝達およびポンプ半導体レーザー モジュールのための気密性完全なWCuの支承板
記述:
それはタングステンおよび銅の合成物です。合成物の（CTE）熱膨張率はタングステンの内容の製陶術（Al2O3、BeO）、半導体(Si)、金属（Kovar）、等のような材料のそれに制御によって一致させるdisigned、できます。プロダクトは無線周波数、マイクロウェーブ、高い発電のダイオードの包装および光通信システムのような分野で広くapplicated。
利点:
1. 高い熱伝導性
2. 優秀な気密性
3. 優秀な平坦、表面の終わりおよびサイズ制御
4. 利用できる半仕上げか終了する（めっきされるNi/Au）プロダクト
5. 低く空間
プロダクト特性:
| 等級 | Wの内容 | 密度g/cm3 | 上昇温暖気流の係数 拡張×10-6 （20℃） | 熱伝導性との（M·K） |
| 90WCu | 90±2% | 17.0 | 6.5 | 180 （25℃） /176 （100℃） |
| 85WCu | 85±2% | 16.4 | 7.2 | 190 （25℃）/183 （100℃） |
| 80WCu | 80±2% | 15.65 | 8.3 | 200 （25℃）/197 （100℃） |
| 75WCu | 75±2% | 14.9 | 9.0 | 230 （25℃）/220 （100℃） |
| 50WCu | 50±2% | 12.2 | 12.5 | 340 （25℃）/310 （100℃） |
適用:
電子プロダクトおよび自動エンジンの高温抵抗として1.Used。コンピュータのように速度の遅いので起因する熱の巨額の金を発生させます。タングステンの合金脱熱器はこの問題を解決できます。
光電子工学のパッケージ、マイクロウェーブ パッケージ、パッケージ、レーザーサブマウントs、等のような適用の2.Used。
脱熱器が貝継ぎ合わさり、カプセル封入のように3.Used。
RFのための熱マウンティング プレート、チップ・キャリア、フランジおよびフレーム、マイクロウェーブ ミリメートル波のパッケージの4.UsedはLDMOS FETを好みます;MSFET;HBT;両極;HEMT;MMIC、発光ダイオードおよび探知器の半導体レーザーのパッケージは光電子工学のアンプのための脈拍、CW、単一のエミッター、棒および複雑なキャリア、受信機、送信機、波長可変レーザーを好みます。
プロダクト映像:
私達はまたタングステンにマイクロエレクトロニクスのパッケージ、陶磁器パッケージ、ICアセンブリおよび蝶パッケージのための銅のキャリア、タングステンの銅脱熱器、タングステン銅熱拡散機およびタングステンの銅のサブマウントsを提供します。
